Рейтинг@Mail.ru
Биржи АТР в основном растут после Дня президента в США - 21.02.2017, ПРАЙМ
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Биржи АТР в основном растут после Дня президента в США

Читать Прайм в
Дзен Telegram

МОСКВА, 21 фев - ПРАЙМ. Основные фондовые площадки Азиатско-Тихоокеанского региона (АТР) преимущественно растут во вторник на фоне низкого объема торгов после празднования Дня президента в США, свидетельствуют данные торгов.

По состоянию на 07.58 мск индекс Шанхайской фондовой биржи Shanghai Composite рос на 0,26%, до 3248,40 пункта, шэньчжэньской Shenzhen Composite - на 0,68%, до 1975,94 пункта. Гонконгский Hang Seng Index увеличивался на 0,15% - до 24181,31 пункта, корейский KOSPI - на 1,11%, до 2107,97 пункта. Японский Nikkei 225 рос на 0,70% - до 19385,42 пункта. Австралийский S&P/ASX 200 снижался на 0,22% - до 5782,30 пункта.

Биржи США были закрыты в понедельник в связи с с празднованием Дня президента, который отмечается в третий понедельник февраля. Изначально в этот день отмечали день рождения первого президента США Джорджа Вашингтона, который родился 22 февраля 1732 года. Позднее в этот праздник стали чтить память всех предыдущих президентов страны.

На этом фоне объем торгов в азиатском регионе был значительно снижен. На рынке не наблюдается существенных факторов, которые могли бы повлиять на рынки, пишет агентство Рейтер.

Инвесторы также продолжают реагировать на позитивную статистику по инфляции в Китае и обнадеживающие комментарии президента США Дональда Трампа по поводу сотрудничества с азиатскими партнерами. "Рост азиатских бирж связан с сильными экономическими данными из Китая и комментариями администрации президента США относительно более мягкой позиции по отношению к Китаю", - приводит агентство слова стратега CLSA Франсиса Чхена (Francis Cheung).

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала